此法是由金属卤化物和碳氢化合物及氢气，在发生分化的一起，彼此反响生成SiC。这种办法能够制备高纯度的SiC粉，也能够发生隔阂。

  它是近年发展起来的难熔化合物制备办法。SHS法是一种化合法，可是一般化合法是依托外部热源来保持反响的进行，而SHS法是依托反响时本身放出的热量来保持反响的进行。SHS法的长处是：节能，工艺简略，产品纯度高。

  碳化硅陶瓷的成型可用惯例成型法，但关于形状杂乱的坯体可选用泥浆浇注法和打针成型法。

  实际情况标明，若选用高纯度超细粉料，挑选合理的工艺、相组成以及恰当的添加剂，能够经过常压烧结途径得到高密度的碳化硅制品。例如，选用亚微米级β- SiC粉末，其间氧含量0. 2%，并参加0. 5%的硼和1.0%的碳，于1950~2100℃的温度在慵懒气氛或真空中，用常压烧成，也能取得简直彻底细密化的碳化硅制品。

  此法也称为自结合法或渗硅法。它是用α- SiC和石墨粉按特别的份额混合压成坯体，加热到1650℃左右，经过液相或气相将Si渗人坯体，使之与石墨起反响生成β- SiC，一起把原先的α- SiC颗粒结合起来，到达细密化。这种烧结没有一点尺度的改变，但烧结体中含有8%~10%游离硅，因而，运用温度受到了约束。反响烧结通常在真空下用感应加热石墨坩埚的办法来完结，设备用反响烧结炉。

  将SiC 粉末参加添加剂，置于石墨模具中，在1950℃和 200MPa以上压力下进行烧结，可取得挨近理论密度的碳化硅制品。常用的添加剂有Al2O3、AIN、BN、B4C、B、B+C等，其间硼最有用的添加剂。实践标明，质料的细度、α相、碳含量、压力、温度、添加剂的品种及含量等对烧结有很大的影响。

  此办法是用制作SiC纤维的质料聚碳硅烷作为结合剂，加到SiC粉猜中烧结成多孔碳化硅制品，然后再置于聚碳硅烷中浸渍，在1000℃再烧结，使密度增大，如此重复进行屡次，体积密度或许到达理论密度的80%~95%.这种办法的最大特点是能在较低温度下取得高纯和较高强度的碳化硅资料，并且能制作各种杂乱形状的制品。

  此法也叫后烧结法，是新近发展起来的烧结法。这是将反响烧结和常压烧结的SiC，在高温下（2000℃）再进行重结晶烧结，终究得到细密的烧结体。